科学家发现斯格明子霍尔效应：可造新型电子储存器

       俄罗斯卫星新闻网1月16日报道，俄罗斯远东联邦大学科研人员奥列格·特列吉亚科夫发现斯格明子霍尔效应，作为俄罗斯和日本美德国际研究团队的一员（skyrmion Hall effect），这使得制造更高速、便宜、可靠、不易失性的电子存储器成为可能。

       科学家的工作成果发表在《自然物理》中（Nature physics）杂志上。

       奥列格特列季亚科夫表示，斯格明子可能是未来磁存储技术的基础。斯格明子的间距只有几纳米，而现代硬盘的磁类至少为100纳米。此外，基于斯格明子的内存甚至可以在缺乏电源的情况下保存信息。

       特列季亚科夫的同事和俄罗斯远东联邦大学的亚历山大萨马尔达克解释说，科学家们现在正在基于斯格明子开发新的数据存储和处理系统。这种存储元件成本更低，工作速度更快，更可靠。在未来，它们可以用来生产计算机、智能手机和传感器，可以长时间工作而不充电。